霍耳效应

[拼音]：Huo'er xiaoying

[外文]：Hall effect

当通有电流的导体或半导体置于与电流方向垂直的磁场中时，在垂直于电流和磁场的方向，物体两侧之间会产生一横向电场。这种现象称为霍耳效应，1879年首先为美国E.H.霍耳对铜箔做实验时发现。

当电流密度J沿x方向，磁感应强度B沿z方向，则所产生的霍耳电场E(在y方向，与J和B成正比，即E=RJB。比例系数R称为霍耳系数。霍耳效应，是因外加磁场使漂移运动的电子或别的载流子（见半导体物理学）发生横向偏转而形成的。只有一种载流子时，霍耳系数与物体中载流子浓度成反比，霍耳系数的正负号决定于载流子是正电荷还是负电荷。

金属的霍耳系数一般为负值，但有些金属如铍、砷等的霍耳系数为正值，这与金属的自由电子模型发生分歧，需用能带论加以解释。半导体的霍耳系数常常比金属大，N型和P型半导体的霍耳系数分别为负值和正值，表明载流子分别为电子和空穴。本征半导体中，电子和空穴都对霍耳系数有影响。

霍耳效应被用来测定固体的导电类型，载流子浓度以及载流子的霍耳迁移率。各种利用霍耳效应的器件(称霍耳器件)，如磁强计、安培计、瓦特计、模拟乘法器、磁罗盘等等，已得到发展和应用。