(1)基区很薄(一般仅有几个微米至十几个微米),且搀杂浓度低。 (2)发射区搀杂浓度远比基区和集电区高。对于PNP型管,发射区是P型区,含有大量空穴;对于NPN型管,发射区是N型区,含有大量自由电子。这对发射载流子是有利的。 (3)集电结面积比发射结面积大,这便于收集从发射区发射来的载流子。
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(1)基区很薄(一般仅有几个微米至十几个微米),且搀杂浓度低。 (2)发射区搀杂浓度远比基区和集电区高。对于PNP型管,发射区是P型区,含有大量空穴;对于NPN型管,发射区是N型区,含有大量自由电子。这对发射载流子是有利的。 (3)集电结面积比发射结面积大,这便于收集从发射区发射来的载流子。