后沉淀

[拼音]：houchendian

[外文]：postprecipitation

如果往含有两种离子M1和M2的溶液中加入沉淀剂P，则M1P立即沉淀，而M2P并不沉淀。但是，当析出的沉淀与母液一起放置时，M2P将在M1P表面上逐渐沉淀，且放置时间越长，M2P析出得越多，这种现象称后沉淀，又称继沉淀。后沉淀使得先沉淀的M1P被M2P所玷污。例如，在Mg2+存在下用过量草酸盐沉淀Ca2+，草酸镁并不沉淀，但在草酸钙陈化过程中，草酸镁就会在草酸钙表面上析出，即玷污草酸钙，又影响了分离效果。在硫化氢系统定性分析中，有时后沉淀相当严重。例如，在含有0.01ΜZn2+的盐酸溶液中通入硫化氢至饱和，硫化锌并不沉淀;但如果溶液中同时含有Cu2+，就会首先析出硫化铜沉淀。这时若立即过滤，则硫化铜沉淀中含硫化锌甚微；但若把沉淀与母液一起放置，硫化锌便会在硫化铜表面上析出，放置时间越长，硫化锌析出越多，甚至绝大部分Zn2+与硫化铜一起沉淀出来，从而造成阳离子第三组检出 Zn2+时的“丢失”。产生这种后沉淀的原因可能在于硫化铜沉淀表面具有强烈吸附S2-的倾向，使得硫化铜与溶液界面上的S2- 大大浓集。

后沉淀是玷污沉淀的原因之一。后沉淀与共沉淀的主要区别是：后沉淀引入杂质的量随沉淀在母液中放置时间的延长而增多；而共沉淀的量受放置时间影响较小。因此，在有后沉淀的体系中要严格控制陈化时间。在分离与富集方法中，后沉淀有时是有利的。例如，在酸性介质中，微量In3+可在二硫化锡沉淀之后后沉淀，延长陈化时间可使In3+定量地析出。